儀器網

歡迎您: 請登錄 免費注冊 儀器雙拼網址:yiqi.com
官方微信
儀器網

離子束刻蝕系統

賽默飛化學分析儀器
儀器網/ 產品中心/ 實驗室常用設備/ 制樣/消解設備/ 離子束刻蝕系統
離子束刻蝕系統

離子束刻蝕系統

離子束刻蝕系統也稱為離子銑,是指當定向高能離子向固體靶撞擊時,能量從入射離子轉移到固體表面原子上,如果固體表面原子間結合能低于入射離子能量時,固體表面原子就會被移開或從表面上被除掉。通常離子束刻蝕所用的離子來自惰性氣體。離子束最小直徑約10nm。目前聚焦離子束刻蝕的束斑可達100nm以下,最少的達到10nm,獲得最小線寬12nm的加工結果。
離子束刻蝕系統產品篩選
產品品牌
更多品牌
產品產地
不限 中國大陸 大洋洲歐洲亞洲美洲
廠商性質
不限 生產商授權代理商一般經銷商
銷售地區
江蘇山東上海北京安徽浙江福建廣東廣西海南湖北河南江西天津河北山西寧夏西藏青海陜西四川云南貴州甘肅遼寧吉林黑龍江內蒙古香港臺灣澳門湖南重慶新疆
不限
展開更多選項
離子束刻蝕系統產品列表
排列樣式:
  • >
德國Sentech 200 RIE 離子刻蝕與沉積系統

德國Sentech 200 RIE 離子刻蝕與沉積系統

  • 品牌: 德國Sentech
  • 型號: 200 RIE
  • 產地:德國
  • 供應商:深圳市藍星宇電子科技有限公司

    德國Sentech 200 RIE 離子刻蝕與沉積系統 ,將平行板等離子體源設計與直接負載相結合。根據其模塊化設計,Etchlab 200可以升級為更大的抽油機、真空負載鎖和額外的氣體管道。

德國Sentech等離子刻蝕機 ICP-RIE SI 500

德國Sentech等離子刻蝕機 ICP-RIE SI 500

  • 品牌: 德國Sentech
  • 型號: ICP-RIE SI 500
  • 產地:德國
  • 供應商:深圳市藍星宇電子科技有限公司

    襯底溫度的設置和蝕刻過程的穩定性是高質量蝕刻的要求。采用動態溫度控制的ICP基片電極,結合He背面冷卻和基片背面溫度傳感,在-150℃到+400℃的大范圍溫度范圍內,提供了優良的工藝條件。

PECVD Depolab 200 等離子體沉積機

PECVD Depolab 200 等離子體沉積機

ENTECH RIE SI591 平板電容式反應離子刻蝕機

ENTECH RIE SI591 平板電容式反應離子刻蝕機

  • 品牌: 德國Sentech
  • 型號: ENTECH RIE SI591
  • 產地:德國
  • 供應商:深圳市藍星宇電子科技有限公司

    ENTECH RIE SI591 平板電容式反應離子刻蝕機,兼容多種氯基或氟基刻蝕工藝;小型化和高度模塊化;SENTECH控制軟件;Process flexibility工藝靈活性,反應離子刻蝕機 SI 591系列兼容多種氯基或氟基刻蝕工藝。Si591系列可設置為單腔系統或帶盒式裝片的多腔系統。

Plasma Stripper (Asher) 等離子去膠機

Plasma Stripper (Asher) 等離子去膠機

  • 品牌: 牛津儀器
  • 型號: Plasma Stripper
  • 產地:英國
  • 供應商:深圳市藍星宇電子科技有限公司

    開放式設計,可快速加載和卸載晶圓; 基片放置在石英上,以避免濺射/再沉積電極材料; 通過頂部電極上的“蓮蓬頭”進氣口將氣體注入工藝室。

英國Oxford 牛津等離子沉積機

英國Oxford 牛津等離子沉積機

  • 品牌: 牛津儀器
  • 型號: PlasmaPro 80 ICPCVD
  • 產地:英國
  • 供應商:深圳市藍星宇電子科技有限公司

    PlasmaPro 80 ICPCVD 英國Oxford 牛津等離子沉積機,是一種結構緊湊且使用方便的小型直開式系統,可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置,便于使用,且能夠確保工藝性能。直開式設計可實現快速晶圓裝卸,是科學研究、原型設計和小批量生產的理想選擇。 它通過優化的電極冷卻和出色的襯底溫度控制來實現高性能工藝。

牛津等離子體刻蝕機 PlasmaPro 80 RIE

牛津等離子體刻蝕機 PlasmaPro 80 RIE

  • 品牌: 牛津儀器
  • 型號: PlasmaPro 80 RIE
  • 產地:英國
  • 供應商:深圳市藍星宇電子科技有限公司

    PlasmaPro 80 RIE 牛津等離子體刻蝕機,是一種結構緊湊、小尺寸且使用方便的直開式系統,可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置,便于使用,且能確保工藝性能。直開式設計可實現快速晶圓裝卸,是研究和小批量生產的理想選擇。 它通過優化的電極冷卻和出色的襯底溫度控制來實現高質量的工藝。

System 100 等離子刻蝕與沉積設備

System 100 等離子刻蝕與沉積設備

  • 品牌: 牛津儀器
  • 型號: System 100
  • 產地:英國
  • 供應商:深圳市藍星宇電子科技有限公司

    牛津OXFORD System 100 等離子刻蝕與沉積設備,具有工藝靈活性,適用于化合物半導體,光電子學,光子學,微機電系統和微流體技術。

美國Trion Technology反應式離子刻蝕(RIE/ICP)系統及沉積(PECVD)系統

美國Trion Technology反應式離子刻蝕(RIE/ICP)系統及沉積(PECVD)系統

  • 品牌: 美國Trion
  • 型號: RIE/ICP
  • 產地:美國
  • 供應商:深圳市藍星宇電子科技有限公司

    美國Trion Technology反應式離子刻蝕(RIE/ICP)系統及沉積(PECVD)系統Trion始于一九八九年的等離子刻蝕與沉積系統制造商,Trion為化合物半導體、MEMS(微機電系統)、光電器件以及其他半導體市場提供多種設備。我們的產品在業內以系統占地面積最小、成本低而著稱,且設備及工藝的可靠性和穩定性久經考驗。從整套的批量生產用設備,到簡單的實驗室研發用系統,盡在Trion。 Trion提供升級及回收方案給現有Matrix客戶。批量生產用設備:去膠系統- 低損傷去膠系統新式去膠系統的成本已攀升到不合理水平,但Trion已通過兩套價格低廉、緊湊的多功能系統使這一關鍵問題得到解決:Gemini和Apollo。利用ICP(電感耦合等離子)、微波和射頻偏置功率,可以在低溫條件下將難于消除的光刻膠去除。根據應用要求,每套系統可以結合SST-Lightning 微波源(既可靠又沒有任何常見的微波調諧問題) 或ICP 技術。? 刻蝕速率高達6微米/分 ? 高產量? 等離子損傷低 ? 自動匹配單元? 適用于100mm 到300mm 基片 ? 設備占地面積小? 價格具競爭性 刻蝕/沉積Titan是一套用于半導體生產的十分緊湊、全自動化、帶預真空室的等離子系統。Titan具有反應離子刻蝕(RIE)配置、高密度電感耦合等離子沉積(HDICP)或等離子增強型化學汽相沉積(PECVD)配置。可對單個基片或帶承片盤的基片(3”-300mm)進行處理。它還具有多尺寸批量處理功能。價格適宜且占地面積小。刻蝕應用范圍: 砷化鎵、砷化鋁鎵、氮化鎵、磷化鎵、磷化銦、鋁、硅化物、鉻以及其他要求腐蝕性和非腐蝕性化學刻蝕的材料。沉積應用范圍:二氧化硅、氮化硅、氮氧化物和其他各種材料。 具有ICP選件的Titan系統Oracle III由中央真空傳輸系統(CVT)、真空盒升降機和最多四個工藝反應室構成。這些工藝反應室與中央負載鎖對接,既能夠以生產模式運行,也能夠作為單個系統獨立作業。 Oracle III是市場上最靈活的系統,既可以為實驗室環境進行配置(使用單基片裝卸),也可以為批量生產進行配置(使用真空盒升降機進行基片傳送)。由于Oracle III 最多可容納四個獨立的工藝室,其可以有多種不同的工藝組合,其中包括RIE/ICP (反應離子刻蝕機/電感耦合等離子)刻蝕和PECVD 沉積。多個室可以同時工作。鑒于所有工藝室均有真空負載鎖,工藝運行安全且沒有大氣污染。 Oracle III是市場上最小的批量生產用集成系統。深硅刻蝕:- 5μm/min的刻蝕速率- 小于6%的不均勻性- 刻蝕深度可達300μm- 相對于光刻膠15:1的選擇率- 垂直光滑的壁面- 縱橫比可達12:15 um wide Si trench etch200um Si trench etch120um Si Trench etch40um wide x 320um deepSlope approx. 88 degreesEtching of GaAs/AlGaAs HeterostructuresInP Lens Etch 5.2 micron lens height with PR maskGaN LED Etch 2.6 micron depth with PR小批量生產用設備:沉積 (PECVD)Minilock-Orion III是一套zui先進的等離子增強型化學汽相沉積(PECVD)系統。 系統的下電極尺寸可為200mm或300mm,且根據電極配置,可以處理單個基片或帶承片盤的基片(3” - 300mm尺寸),或者多尺寸批量處理基片(4x3”; 3x4”; 7x2”)。可沉積的薄膜包括:氧化物、氮氧化物、無定形硅和碳化硅。可以使用的反應氣體包括:100%硅烷、氨、TEOS、二乙基硅烷、氧化亞氮、氧、氮、三甲基硅烷和甲烷。該系統可選配一個三極管(Triode)或電感耦合等離子(ICP)源。其中三極管使得用戶可以創建高密度等離子,從而控制薄膜應力。基片通過預真空室裝入工藝室,其避免了與工藝室以及任意殘余沉積副產品接觸,從而提高了用戶的安全性。預真空室還使得工藝室始終保持在真空下,從而保持反應室與大氣隔絕。 Minilock-Orion III PECVD刻蝕 (RIE)Minilock-Phantom III 具有預真空室的反應離子刻蝕機。適用于單個基片或帶承片盤的基片(3” - 300mm尺寸),為實驗室和試制線生產環境提供zui先進的刻蝕能力。它也具有多尺寸批量處理(4x3”; 3x4”; 7x2”)。系統有多達七種工藝氣體可以用于刻蝕各種薄膜,如氧化硅、氮化硅、多晶硅、鋁、砷化鎵、鉻、銅、磷化銦和鈦。該反應室還可以用于去除光刻膠和有機材料。可選配靜電吸盤(E-chuck),以便更有效地在刻蝕工藝中讓基片保持冷卻。該E-chuck使用氦壓力控制器,及在基片背面保持一個氦冷卻層,從而達到控制基片溫度的作用。該設備可選配一個電感耦合等離子(ICP)源,其使得用戶可以創建高密度等離子,從而提高刻蝕速率和各向異性等刻蝕性能。 Minilock-Phantom III具有ICP(感應耦合等離子)選項的刻蝕系統實驗室/研發/芯片失效分析用設備:沉積Orion III 等離子增強型化學汽相沉積(PECVD)系統適用于單個基片、碎片或帶承片盤的基片(2” - 300mm尺寸),為實驗室和試制線生產提供zui先進的沉積能力。Orion III系統用于非發火PECVD工藝。沉積薄膜:氧化物、氮氧化物、氮化物和無定形硅。工藝氣體 :<20% 硅烷、氨、TEOS、二乙基硅烷、氧化亞氮、氧和氮。該設備可選配一個ICP或三極管(Triode)源。 Orion III 刻蝕Phantom III反應離子蝕刻(RIE)系統適用于單個基片、碎片或帶承片盤的基片300mm尺寸,為實驗室和試制線生產提供zui先進的等離子蝕刻能力。系統有多達七種工藝氣體可以用于蝕刻氮化物、氧化物以及任何需要氟基化學刻蝕的薄膜或基片(如碳、環氧樹脂、石墨、銦、鉬、氮氧化物、聚酰亞胺、石英、硅、氧化物、氮化物、鉭、氮化鉭、氮化鈦、鎢以及鎢鈦) Phantom III? Sirus T2 臺面式反應離子刻蝕機(RIE)可用于介質以及其它要求氟化基化學的薄膜刻蝕。用於對矽、 二氧化矽、 氮化矽、石英、聚亞醯胺、鉭、鎢、鎢鈦以及其他要求特徵控制,高度選擇性和良好一致性的材料進行蝕刻。 本機包含200mm下電極, 系統控制器(含電腦主機及觸控介面),13.56MHz, 300/600W 射頻發生器及自動調諧,最大四路/六路工藝氣體及自動壓力控制模塊等。占地面積小且堅固耐用,非常適合用於研發,實驗室環境及失效分析。 Sirus T2 - 臺面式反應離子刻蝕機

英國Oxford 反應離子刻蝕機PlasmaPro 800 RIE

英國Oxford 反應離子刻蝕機PlasmaPro 800 RIE

  • 品牌: 牛津儀器
  • 型號: PlasmaPro 800 RIE
  • 產地:英國
  • 供應商:深圳市藍星宇電子科技有限公司

    英國Oxford 反應離子刻蝕機PlasmaPro 800 RIE,是結構緊湊、且使用方便的直開式系統,該系統為大批量晶圓和300mm晶圓上的反應離子蝕刻(RIE)工藝提供了靈活的解決方案。大尺寸的晶圓平臺能夠處理量產級別的批量以及300mm晶圓的工藝。

Etchlab200 德國Sentech 反應離子刻蝕機(可升級)

Etchlab200 德國Sentech 反應離子刻蝕機(可升級)

  • 品牌: 德國Sentech
  • 型號: Etchlab200
  • 產地:德國
  • 供應商:深圳市藍星宇電子科技有限公司

    Etchlab200 德國Sentech 經濟型反應離子刻蝕機(可升級),EtchLab 200 允許通過載片器,實現多片工藝樣品的快速裝載,也可以直接快速地把樣品裝載在電極上。RIE等離子體刻蝕設備具備占地面積小,模塊化和靈活性等設計特點。

ICP-RIE SI 500 德國Sentech等離子刻蝕機

ICP-RIE SI 500 德國Sentech等離子刻蝕機

PlasmaPro 80 RIE 牛津等離子體刻蝕機

PlasmaPro 80 RIE 牛津等離子體刻蝕機

  • 品牌: 牛津儀器
  • 型號: PlasmaPro 80 RIE
  • 產地:英國
  • 供應商:深圳市藍星宇電子科技有限公司

    PlasmaPro 80 RIE是一種結構緊湊、小尺寸且使用方便的直開式系統,可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置,便于使用,且能確保工藝性能。直開式設計可實現快速晶圓裝卸,是研究和小批量生產的理想選擇。 它通過優化的電極冷卻和出色的襯底溫度控制來實現高質量的工藝。

System 100 等離子刻蝕與沉積設備

System 100 等離子刻蝕與沉積設備

  • 品牌: 牛津儀器
  • 型號: PlasmalabSystem 100
  • 產地:英國
  • 供應商:深圳市藍星宇電子科技有限公司

    該設備是一個靈活和功能強大的等離子體刻蝕和淀積工藝設備。 采用真空進樣室進樣可進行快速的晶片更換、采用多種工藝氣體并擴大了允許的溫度范圍。 具有工藝靈活性,適用于化合物半導體,光電子學,光子學,微機電系統和微流體技術, PlasmalabSystem100可以有很多的配置

PlasmaPro 80 ICP 英國牛津OXFORD 等離子體刻蝕機

PlasmaPro 80 ICP 英國牛津OXFORD 等離子體刻蝕機

  • 品牌: 牛津儀器
  • 型號: PlasmaPro 80 ICP
  • 產地:英國
  • 供應商:深圳市藍星宇電子科技有限公司

    PlasmaPro 80 ICP是一種結構緊湊、小型且使用方便的直開式系統,可提供多種刻蝕解決方案。 它易于放置,便于使用,且能夠確保工藝質量。直開式設計允許快速的進行晶圓裝卸,是科學研究、原型設計和少量生產的理想選擇。 該設備通過優化了的電極冷卻技術和出色的襯底溫度控制來實現高度穩定的工藝結果。

牛津OpAL 開放式樣品載入ALD設備

牛津OpAL 開放式樣品載入ALD設備

  • 品牌: 牛津儀器
  • 型號: OpAL
  • 產地:英國
  • 供應商:深圳市藍星宇電子科技有限公司

    緊湊型開放式樣品載入原子層沉積(ALD)系統 OpAL提供了專業的熱ALD設備,可以簡單明了的升級使用等離子體,使得在同一緊湊設備中集成了等離子體和熱ALD。

Ionfab 300 IBE 牛津離子束刻蝕機

Ionfab 300 IBE 牛津離子束刻蝕機

  • 品牌: 牛津儀器
  • 型號: Ionfab 300 IBE
  • 產地:英國
  • 供應商:深圳市藍星宇電子科技有限公司

    離子束刻蝕的靈活性、均勻性俱佳且應用范圍廣。我們的設備具有靈活的硬件選項,包括直開式、單襯底傳送模式和盒式對盒式模式。系統配置與實際應用緊密協調,以確保獲得速率更快且重復性更好的工藝結果。

PlasmaPro 100 Estrelas牛津深硅刻蝕系統

PlasmaPro 100 Estrelas牛津深硅刻蝕系統

  • 品牌: 牛津儀器
  • 型號: PlasmaPro 100 Estrelas
  • 產地:英國
  • 供應商:深圳市藍星宇電子科技有限公司

    PlasmaPro 100 Estrelas 平臺旨在提供深硅蝕刻(DSiE)領域的全方位的靈活性以滿足微電子機械系統(MEMS)、 先進封裝以及納米技術市場的各種工藝要求。考慮到研究和生產的市場發展,PlasmaPro 100 Estrelas 提供了更加出色的工藝靈活性。

PlasmaPro 100 ALE牛津原子層刻蝕機

PlasmaPro 100 ALE牛津原子層刻蝕機

  • 品牌: 牛津儀器
  • 型號: PlasmaPro 100 ALE
  • 產地:英國
  • 供應商:深圳市藍星宇電子科技有限公司

    我們的設備和工藝已通過充分驗證,正常運轉時間可達90%以上,一旦設備安裝完畢,可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市場應用廣,包括但不限于: MEMS和傳感器、光電子、分立元器件和納米技術。它具有足夠的靈活性,可用于研究和開發,通過打造質量滿足生產需求。

瑞士NanoFrazor 3D納米結構高速直寫機

瑞士NanoFrazor 3D納米結構高速直寫機

  • 品牌: 瑞士Swisslitho AG
  • 型號: NanoFrazor 3D
  • 產地:瑞士
  • 供應商:深圳市藍星宇電子科技有限公司

    ■ 3D納米直寫能力 高直寫精度 (XY: 10nm, Z: 1nm) 高速直寫 20 mm/s 與EBL媲美 ■ 無需顯影,實時觀察直寫效果 形貌感知靈敏度0.1nm 樣品無需標記識別,多結構套刻,對準精度 5nm ■ 無臨近效應 高分辨,高密度納米結構 ■ 無電子/離子損傷 高性能二維材料器件 ■ 區域熱加工和化學反應 多元化納米結構改性 ■ 大樣品臺 100mm X 100mm

NanoFrazor 3D納米結構高速直寫機

NanoFrazor 3D納米結構高速直寫機

  • 品牌: 瑞士Swisslitho AG
  • 型號: NanoFrazor
  • 產地:瑞士
  • 供應商:QUANTUM量子科學儀器貿易(北京)有限公司

    ■ 3D納米直寫能力 高直寫精度 (XY: 最高可達10nm, Z: 1nm) 高速直寫 20 mm/s 與EBL媲美 ■ 無需顯影,實時觀察直寫效果 形貌感知靈敏度0.1nm 樣品無需標記識別,多結構套刻,對準精度 5nm ■ 無臨近效應 高分辨,高密度納米結構 ■ 無電子/離子損傷 高性能二維材料器件 ■ 區域熱加工和化學反應 多元化納米結構改性 ■ 大樣品臺 100mm X 100mm

等離子刻蝕機PlasmaStar 100

等離子刻蝕機PlasmaStar 100

  • 品牌: 美國AXIC
  • 型號: PlasmaStar 100/100RIE
  • 產地:美國
  • 供應商:武漢邁可諾科技有限公司

    PlasmaSTAR?系列等離子處理系統適合處理所有的材料,擁有多種腔室和電極配置,可滿足不同的等離子工藝和基片尺寸。占地面積小,用于各種等離子工藝的模塊化腔室和電極配置。此外,觸摸屏計算機控制,多級程序控制和組件控制,操作簡單。PlasmaSTAR?模塊化腔室和電極組件是該系統的獨特功能。 腔室材料是硬質陽極氧化鋁, 有幾種不同的電極設計,包括用于反應離子刻蝕(RIE)和平面處理的水冷平板電極,用于表面清洗或處理的交替多層托盤電極,用于最小化離子損傷的下游電極,和用于普通的圓柱形籠式電極。1、腔體尺寸:直徑≥200mm,深度≥280mm;2、腔體材質:硬質陽極氧化鋁矩形腔體;3、處理腔背面材質:鋁;4、處理腔門:要求全自動腔門;5、兩路工藝氣體,≥2路質量流量控制器控制氣體流量,氣體輸入腔室帶勻流設計;6、射頻功率:0~600W連續可調,13.56MHz,自動匹配,自然風冷;7、配備RIE平面水冷平板電極;8、7英寸及以上顯示器、觸摸屏、圖形用戶界面;      9、程序控制:觸摸屏電腦控制,無線程序存儲;10、Windows操作系統,兼容Windows office軟件,USB接口,可進行外部電腦遠程控制的功能;11、狀態和出錯信息提示,過程數據和出錯信息存儲,可選擇自動和手動操作模式,過程數據可以導出,工藝參數以圖形方式呈現,可實時監控,自動實現泄露檢測;12、配套緊急急停按鈕(EMO),配套電路斷路器,機械聯鎖(門傳感器)和真空聯鎖(壓力開關),通過軟件可進行遠程的真空聯鎖;13、典型的光刻膠刻蝕速率:80nm/min;14、典型工藝均勻性:≥±10%;

反應離子刻蝕機PlasmaStar 200

反應離子刻蝕機PlasmaStar 200

  • 品牌: 美國AXIC
  • 型號: PlasmaStar 200/200RIE
  • 產地:美國
  • 供應商:武漢邁可諾科技有限公司

    PlasmaSTAR?模塊化腔室和電極組件是該系統的獨特功能。 腔室材料是硬質陽極氧化鋁, 有幾種不同的電極設計,包括用于反應離子刻蝕(RIE)和平面處理的水冷平板電極,用于表面清洗或處理的交替多層托盤電極,用于最小化離子損傷的下游電極,和用于普通的圓柱形籠式電極。型號: 反應離子刻蝕機PlasmaStar 200/200RIE產地: 美國品牌: Axic環球供應,本地服務!MYCRO專業為您提供實驗室RIE反應離子刻蝕機設備,全方位的技術服務及售后,MYCRO值得您的的信賴!技術規格:型號PlasmaStar  100PlasmaStar100RIEPlasmaStar 200PlasmaStar 200RIE艙體尺寸直徑254×深度356mm直徑200×深度280mm寬305×高305×深406mm寬305 ×高200×深406mm艙體材質標配為陽極氧化鋁艙體常用氣體空氣,氧氣,氫氣,氬氣,氮氣,CF4,SF6等和其他混合氣體氣路控制標配2路MFC,PlasmaStar  100最多可選配4路, 標配2路MFC,PlasmaStar  200最多可選配5路;控制系統電阻觸摸屏操作界面程序控制PC觸屏控制,可編程序,無線存儲數據射頻頻率13.56 MHz射頻功率0~600W瓦之間距連續可調,自動匹配0~1000W瓦之間距連續可調,自動匹配電極設計標準圓柱形籠式電極;標準圓柱形籠式電極;可選交替多層托盤電極;可選RIE平面處理水冷平板電極設備尺寸 寬800 x 深850 x 高525mm;寬1033 x 深850 x 高635mm;

等離子體刻蝕儀

等離子體刻蝕儀

反應離子刻蝕系統

反應離子刻蝕系統

Chemcut - 濕法蝕刻設備

Chemcut - 濕法蝕刻設備

  • 品牌: 美國Chemcut
  • 型號: Chemcut 2300 系列
  • 產地:美國
  • 供應商:香港電子器材有限公司

    產品簡介               導線框架(QFN)和BGA背蝕刻和半蝕刻系統 鹼性蝕刻:?蝕刻速率:25 - 40 um / min,適用於厚銅(15um以上)蝕刻技術。?低側蝕。?金屬(鎳/金)鍍層無損壞。 酸性蝕刻: ?蝕刻速率:5-10微米/分鐘,適用於簿銅(15um以下)蝕刻技術。?高側蝕。?可能會損壞金屬(鎳/金)電鍍。  Chemcut 2300 系列小批量生產批量和原型系統  Chemcut 2300 是一種緊湊,雙面,水平,傳送帶式,振蕩噴射處理系統系列,采用了與大型系統相同的成熟技術和質量。 2300系列非常適用于實驗室,原型和小批量印刷電路以及化學機械加工零件,儀表板和銘牌。 本系列濕法設備有多種配置,可用于銅和氯化鐵蝕刻,堿性氨蝕刻,抗蝕劑顯影,化學清洗和抗蝕劑剝離。該機器的特殊版本可用于專業處理,如使用氫氟酸和硝酸混合物進行蝕刻以及高溫蝕刻(最高160°F,71°C)。 適用于:化學清洗鐵蝕刻銅蝕刻堿性蝕刻抗蝕劑顯影抗蝕剝離寬度15到20英寸18 X 24功能 應用于: 原型商店小批量商店開發實驗室研發部門大學特殊加工替代化學品研磨特殊合金減少廢物    濕式加工設備 CC8000 CC8000 設計用於加工半導體,IC (引線框架和IC基板),高端HDI PCB / FPC,觸控和LCD顯示螢幕,太陽能和精密金屬零件。其獨特的噴涂架設計使其能夠達到更高水平的蝕刻品質。自啟動以來,已成交并安裝了700多個系統。晶圓圖案制作:?乾膜顯影?銅蝕刻?鈦/鎢蝕刻 晶圓Bumping濕法工藝:?光阻顯影:與Pad制作類似?光阻剝離:需要高噴灑壓力(30 - 40 bars)?種子層(UBM)蝕刻:使用噴灑或浸漬技術   

Trymax - 干法刻蝕等離子去膠機

Trymax - 干法刻蝕等離子去膠機

  • 品牌: 荷蘭Trymax
  • 型號: NEO200A 系列/NEO300A 系列/ NEO3400
  • 產地:荷蘭
  • 供應商:香港電子器材有限公司

    產品簡介NEO200A 系列● Handling   - Dual Cassette   - 3 axis robot● Chammber Configurations   - RF Only (13.56MHz)   - Microwave Only (2.45GHz)   - Dual Source RF / MW   - DCP (13.56MHz)● 100 to 200mm compatibleNEO300A 系列● Handling   - Single Loadport (300mm)   - 3 axis robot● Chammber Configurations   - RF Only (13.56MHz)   - Microwave Only (2.45GHz)   - Dual Source RF / MW   - DCP (13.56MHz)● 200 to 300mm compatibleNEO3400 系列● Handling   - up to 4 Loadports (300mm)   - 4 axis robot with X-traverser● Chammber Configurations   - RF Only (13.56MHz)   - Microwave Only (2.45GHz)   - Dual Source RF / MW   - DCP (13.56MHz)● 200 to 300mm compatible

上海伯東美國考夫曼霍爾離子源于離子刻蝕 (IBE) 應用

上海伯東美國考夫曼霍爾離子源于離子刻蝕 (IBE) 應用

  • 品牌: 美國KRI
  • 型號: EH200
  • 產地:美國
  • 供應商:伯東企業(上海)有限公司

    上海伯東美國考夫曼霍爾離子源于離子刻蝕 (IBE) 應用 Kaufman & Robinson,Inc (KRi) End Hall 上海伯東為美國考夫曼公司離子源 離子槍 Kaufman & Robinson, Inc (KRi) 大中華總代理.美國霍爾離子源 離子槍 EH200, EH400, EH1000, EH200, EH3000 系列不僅廣泛應用于生產單位,且因離子抨擊能量強, 蝕刻效率快, 可因應多種基材特性,單次使用長久, 耗材成本極低, 操作簡易, 安裝簡易, 所以美國考夫曼霍爾離子源目前廣泛應用于許多蝕刻制程及基板前處理制程.客戶案例: 國內某大學天文學系小尺寸刻蝕設備1. 系統功能: 對于 Fe, Se, Te , PCCO及多項材料刻蝕工藝.2. 樣品尺寸: 2硅芯片.3. 實際安裝:刻蝕設備: 小型刻蝕設備. 選用上海伯東美國考夫曼霍爾離子源 EH400HC離子源 EH400HC 安裝于刻蝕腔體內.離子源 EH400HC 控制單元操作 離子源 EH400HC 實際點燃 (氬氣) 對于 FeSeTe 刻蝕應用, 離子源 EH400HC 條件: 110V/1.5A, 刻蝕速率 >20 A/Sec對于 FeSeTe 刻蝕應用, 離子源 EH400HC 條件: 110V/1.5A, 刻蝕速率 >17 ?/Sec霍爾離子源 EH400HC 優點:- 高離子濃度 (High density), 低能量(Low energy) - 離子束涵蓋面積廣 (high ion beam sharp) - 鍍膜均勻性佳- 提高鍍膜品質- 模塊化設計, 保養快速方便- 增加光學膜后折射率 (Optical index) - 全自動控制設計, 超做簡易- 低耗材成本,安裝簡易 KRI離子源簡介: 美國考夫曼公司 離子源 離子槍發明人 Dr. Kaufman 考夫曼博士將此專利授權 VEECO 生產.于1978年考夫曼博士在美國自行創立 Kaufman & Robinson, Inc. (KRi) 美國考夫曼公司, 歷經30年離子源 離子槍之改良及研發并取得多項專利,目前已在光學鍍膜 (Optical coating), IBAD (離子源助鍍), IBSD (離子濺鍍), IBE (離子刻蝕), DD(離子鍍膜)等等應用大量使用.上海伯東為美國考夫曼公司離子源 離子槍 Kaufman & Robinson, Inc (KRi) 中國總代理 上海伯東主要經營產品德國 Pfeiffer渦輪分子泵, 干式真空泵, 羅茨真空泵, 旋片真空泵; 應用于各種條件下的真空測量(真空計, 真空規管);氦質譜檢漏儀;質譜分析儀;真空系統以及 Cryopump 冷凝泵/低溫泵, HVA 真空閥門, Polycold 冷凍機和美國KRIKaufman 考夫曼離子源離子槍 若您需要進一步的了解詳細信息或討論, 請登錄我們網站: www.hakuto-vacuum.cn或與市場部門:孔生 聯系Tel: 86-21-5046-3511轉118Mobile: 86 150-2100-1343E-mail: [email protected]

上海伯東美國考夫曼離子源離子槍成功應用于離子刻蝕

上海伯東美國考夫曼離子源離子槍成功應用于離子刻蝕

  • 品牌: 美國KRI
  • 型號: RFICP40
  • 產地:美國
  • 供應商:伯東企業(上海)有限公司

    上海伯東美國考夫曼離子源離子槍成功應用于離子刻蝕 (IBE) 上海伯東美國考夫曼離子源 離子槍 Kaufman & Robinson, Inc (KRi) RFICP 成功應用于離子刻蝕 (IBE).上海伯東是美國考夫曼大中國區總代理,Kaufman & Robinson, Inc 美國考夫曼公司離子源 離子槍 RFCIP系列已廣泛應用于離子刻蝕 (IBE) 工藝. 考夫曼離子源具有高離子濃度 (High beam currents) 及低離子能量 (Low beam energies). 此兩個特殊條件對于刻蝕效率及刻蝕中避免傷害到工件表面材質可以達到優化. 并且可以依客戶之工件尺寸選擇所對應之型號: RFICP40, RFICP100, RFICP140, RFICP200, RFICP300. 上海伯東主要經營產品德國 Pfeiffer渦輪分子泵, 干式真空泵, 羅茨真空泵, 旋片真空泵; 應用于各種條件下的真空測量(真空計, 真空規管);氦質譜檢漏儀;質譜分析儀;真空系統以及 Cryopump 冷凝泵/低溫泵, HVA 真空閥門, Polycold 冷凍機和美國KRIKaufman 考夫曼離子源離子槍 若您需要進一步的了解詳細信息或討論, 請登錄我們網站: www.hakuto-vacuum.cn或與市場部門:孔生 聯系Tel: 86-21-5046-3511轉118Mobile: 86 150-2100-1343E-mail: [email protected]

上海伯東授權代理美國考夫曼離子束

上海伯東授權代理美國考夫曼離子束

  • 品牌: 美國KRI
  • 型號: eh
  • 產地:美國
  • 供應商:伯東企業(上海)有限公司

    上海伯東授權代理 Kaufman & Robinson, Inc (KRi) 美國考夫曼離子束與等離子源產品上海伯東為 Kaufman & Robinson, Inc (KRi) 美國考夫曼公司大中華總代理. 離子源發明人 Dr. Kaufman 考夫曼博士將此專利授權 VEECO 生產. 于1978年考夫曼博士在美國自行創立 Kaufman & Robinson, Inc. (KRi) 公司并歷經30年離子源之改良及研發并取得多項專利,KRI產品融合的一系列等離子技術提供了獨一無二的操作與運行方式。這些技術使離子源與供電產品能夠被正確的應用以便達到流程目標。此類技術基本上可以被分為幾個類別:無柵式端部霍爾(eh)離子源 eH系列離子源可輸出高離子流和低能源束。離子流達到高速運行需求的同時低能源束能夠減少對設備外表面與內表面的傷害。有柵極射頻感應耦合等離子體(RFICP)離子源 RFICP系列離子源可以在無燈絲的情況下提供高密度離子流.從離子流中提取的離子束能夠被精確的控制以便提供設定的形狀,電流密度以及離子能。有柵極KDC離子源 KDC系列離子源是根據典型的考夫曼離子源加強設計的。傳統的離子源工藝使其能夠輸出高質、穩定的離子束。電源與控制器 我們的電源與控制器操作不同種類的離子、等離子以及電子源。這些產品能夠為等離子流程中的動荷作用輸出平穩、連續的電源。電子源與離子源中和器 這些電子源低能量、高電流源。它們一般應用于中和劑或陰極材料,以便控制離子源與等離子源的產量。PTIBEAMTM離子透鏡 我們的離子束源采用耐融金屬或石墨的多孔徑網格。這些網格或是平的,或是中凹的,它們與多孔模式一同控制離子軌跡。離子軌跡的聚集產生了離子束,離子電流的分布塑造了該離子束的形狀特征。上海伯東 主要經營產品 德國 Pfeiffer 渦輪分子泵, 干式真空泵, 羅茨真空泵, 旋片真空泵; 應用于各種條件下的 真空測量(真空計, 真空規管); 氦質譜檢漏儀;質譜分析儀;真空系統以及 Cryopump 冷凝泵/低溫泵, HVA 真空閥門, Polycold 冷凍機和美國KRI Kaufman考夫曼離子源(離子槍)。若您需要進一步的了解詳細信息或討論, 請登錄我們網站: www.hakuto-vacuum.cn或與市場部門:孔生 聯系Tel: 86-21-5046-3511轉118Mobile: 86 150-2100-1343E-mail: [email protected]

伯東公司考夫曼離子源

伯東公司考夫曼離子源

  • 品牌: 美國KRI
  • 型號: 考夫曼離子源
  • 產地:美國
  • 供應商:伯東企業(上海)有限公司

    伯東公司是美國考夫曼公司 Kuafman & Robinson,Inc(KRI) 中國總代理. KRI 考夫曼公司是由離子源發明人 Dr.Kaufman 考夫曼博士于 1978年在美國創立. KRI 考夫曼離子源歷經 30 年改良及發展已取得多項專利, 受到各領域的肯定. KRI 離子源離子槍系列產品融合一系列等離子技術,提供了獨一無二的操作與運行方式。KRI 離子源主要分為以下幾類:無柵式端部霍爾離子源 eh eH 系列離子源離子槍可輸出高離子流和低能源束。離子流達到高速運行需求的同時低能源束能夠減少對設備外表面與內表面的傷害。有柵極射頻感應耦合等離子體離子源 RFICP RFICP 系列離子源可以在無燈絲的情況下提供高密度離子流.從離子流中提取的離子束能夠被精確的控制以便提供設定的形狀,電流密度以及離子能。有柵極離子源 KDC KDC 系列離子源離子槍是根據典型的考夫曼離子源加強設計的。傳統的離子源工藝使其能夠輸出高質、穩定的離子束。電源與控制器 我們的電源與控制器操作不同種類的離子、等離子以及電子源。這些產品能夠為等離子流程中的動荷作用輸出平穩、連續的電源。電子源與離子源離子槍中和器 這些電子源低能量、高電流源。它們一般應用于中和劑或陰極材料,以便控制離子源與等離子源的產量。PTIBEAMTM 離子透鏡 我們的離子束源采用耐融金屬或石墨的多孔徑網格。這些網格或是平的,或是中凹的,它們與多孔模式一同控制離子軌跡。離子軌跡的聚集產生了離子束,離子電流的分布塑造了該離子束的形狀特征。KRI 考夫曼離子源 EH1010F , EH1020F …系列廣泛用于鍍膜之前處理 (ISSP) 及離子輔助鍍膜 (IBAD)且有助于提高光學成膜之沉淀速率, 附著度, 可靠度, 增加折射率, 穿透率等. KRI 考夫曼離子源整體設計低耗材, 安裝簡易, 維護簡單廣泛應用在生產企業和科研單位KRI 考夫曼離子源 EH1010F, EH1020F, EH3050F, EH5050F…系列, 目前被廣泛應用于 AR, IR, 分光鏡, 光學蒸鍍鍍膜制程, 多層膜光學鍍膜制程, 低溫度膜制, PVD 制程, 材料分析等等… KRI 考夫曼離子源 EH1020F 蒸鍍制程設備應用 伯東公司主要經營產品德國 Pfeiffer渦輪分子泵, 干式真空泵, 羅茨真空泵, 旋片真空泵; 應用于各種條件下的真空測量(真空計, 真空規管);氦質譜檢漏儀;質譜分析儀;真空系統以及 Cryopump 冷凝泵/低溫泵, HVA 真空閥門, Polycold 冷凍機和美國KRIKaufman 考夫曼離子源離子槍 若您需要進一步的了解詳細信息,請與我們聯系:www.hakuto-vacuum.cn TEL: 86 (021) 50463511轉106 FAX: 86 (021) 50461490 Email: [email protected]

對比欄隱藏對比欄已滿,您可以刪除不需要的欄內商品再繼續添加!
您還可以繼續添加
您還可以繼續添加
您還可以繼續添加
您還可以繼續添加
您還可以繼續添加