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离子束刻蚀系统

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离子束刻蚀系统

离子束刻蚀系统

离子束刻蚀系统也称为离子铣,是指当定向高能离子向固体靶撞击时,能量从入射离子转移到固体表面原子上,如果固体表面原子间结合能低于入射离子能量时,固体表面原子就会被移开或从表面上被除掉。通常离子束刻蚀所用的离子来自惰性气体。离子束最小直径约10nm。目前聚焦离子束刻蚀的束斑可达100nm以下,最少的达到10nm,获得最小线宽12nm的加工结果。
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离子束刻蚀系统产品列表
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瑞士NanoFrazor 3D纳米结构高速直写机

瑞士NanoFrazor 3D纳米结构高速直写机

  • 品牌: 瑞士Swisslitho AG
  • 型号: NanoFrazor 3D
  • 产地:瑞士
  • 供应商:深圳市蓝星宇电子科技有限公司

    ■ 3D纳米直写能力 高直写精度 (XY: 10nm, Z: 1nm) 高速直写 20 mm/s 与EBL媲美 ■ 无需显影,实时观察直写效果 形貌感知灵敏度0.1nm 样品无需标记识别,多结构套刻,对准精度 5nm ■ 无临近效应 高分辨,高密度纳米结构 ■ 无电子/离子损伤 高性能二维材料器件 ■ 区域热加工和化学反应 多元化纳米结构改性 ■ 大样品台 100mm X 100mm

NanoFrazor 3D纳米结构高速直写机

NanoFrazor 3D纳米结构高速直写机

  • 品牌: 瑞士Swisslitho AG
  • 型号: NanoFrazor
  • 产地:瑞士
  • 供应商:QUANTUM量子科学仪器贸易(北京)有限公司

    ■ 3D纳米直写能力 高直写精度 (XY: 最高可达10nm, Z: 1nm) 高速直写 20 mm/s 与EBL媲美 ■ 无需显影,实时观察直写效果 形貌感知灵敏度0.1nm 样品无需标记识别,多结构套刻,对准精度 5nm ■ 无临近效应 高分辨,高密度纳米结构 ■ 无电子/离子损伤 高性能二维材料器件 ■ 区域热加工和化学反应 多元化纳米结构改性 ■ 大样品台 100mm X 100mm

德国Sentech 200 RIE 离子刻蚀与沉积系统

德国Sentech 200 RIE 离子刻蚀与沉积系统

  • 品牌: 德国Sentech
  • 型号: 200 RIE
  • 产地:德国
  • 供应商:深圳市蓝星宇电子科技有限公司

    德国Sentech 200 RIE 离子刻蚀与沉积系统 ,将平行板等离子体源设计与直接负载相结合。根据其模块化设计,Etchlab 200可以升级为更大的抽油机、真空负载锁和额外的气体管道。

Etchlab200 德国Sentech 经济型反应离子刻蚀机(可升级)

Etchlab200 德国Sentech 经济型反应离子刻蚀机(可升级)

  • 品牌: 德国Sentech
  • 型号: Etchlab200
  • 产地:德国
  • 供应商:深圳市蓝星宇电子科技有限公司

    Etchlab200 德国Sentech 经济型反应离子刻蚀机(可升级),经济型刻蚀机应用范围:硅、硅化物、III-V族化合物半导体、电介质和金属等材料。直接装片型、可升级、在线监控、大尺寸观察窗、远程操作。

德国Sentech等离子刻蚀机 ICP-RIE SI 500

德国Sentech等离子刻蚀机 ICP-RIE SI 500

  • 品牌: 德国Sentech
  • 型号: ICP-RIE SI 500
  • 产地:德国
  • 供应商:深圳市蓝星宇电子科技有限公司

    衬底温度的设置和蚀刻过程的稳定性是高质量蚀刻的要求。采用动态温度控制的ICP基片电极,结合He背面冷却和基片背面温度传感,在-150℃到+400℃的大范围温度范围内,提供了优良的工艺条件。

SI 500 电感耦合等离子体ICP干法刻蚀系统

SI 500 电感耦合等离子体ICP干法刻蚀系统

  • 品牌: 德国Sentech
  • 型号: SI 500
  • 产地:德国
  • 供应商:深圳市蓝星宇电子科技有限公司

    衬底温度的设置和蚀刻过程的稳定性是高质量蚀刻的要求。采用动态温度控制的ICP基片电极,结合He背面冷却和基片背面温度传感,在-150℃到+400℃的大范围温度范围内,提供了优良的工艺条件。

德国 Sentech SI 500 PPD等离子沉积机

德国 Sentech SI 500 PPD等离子沉积机

  • 品牌: 德国Sentech
  • 型号: SI 500 PPD
  • 产地:德国
  • 供应商:深圳市蓝星宇电子科技有限公司

    SI 500 PPD是一种先进的等离子体增强化学气相沉积介质薄膜的工具,硅、碳化硅和其他材料。它是基于平面电容耦合等离子体源,真空加载锁定, 控温基片电极,可选配低频混频,全控无油真空系统采用先进的森泰克控制软件,采用远程现场总线技术,具有非常友好的通用用户界面用于操作SI 500 PPD的用户界面。

德国 Sentech SI 500 D 等离子沉积机

德国 Sentech SI 500 D 等离子沉积机

  • 品牌: 德国Sentech
  • 型号: SI 500 D
  • 产地:德国
  • 供应商:深圳市蓝星宇电子科技有限公司

    SI 500D 代表了等离子体增强化学气相沉积介电薄膜、a-Si、SiC和其他材料的前沿。它基于PTSA等离子体源,反应气体分离气体入口,动态控温基片电极,全控真空系统,采用远程现场总线技术的先进森泰克控制软件,以及一个非常友好的通用用户界面来操作SI 500D。

PECVD Depolab 200 等离子体沉积机

PECVD Depolab 200 等离子体沉积机

ENTECH RIE SI591 平板电容式反应离子刻蚀机

ENTECH RIE SI591 平板电容式反应离子刻蚀机

  • 品牌: 德国Sentech
  • 型号: ENTECH RIE SI591
  • 产地:德国
  • 供应商:深圳市蓝星宇电子科技有限公司

    ENTECH RIE SI591 平板电容式反应离子刻蚀机,兼容多种氯基或氟基刻蚀工艺;小型化和高度模块化;SENTECH控制软件;Process flexibility工艺灵活性,反应离子刻蚀机 SI 591系列兼容多种氯基或氟基刻蚀工艺。Si591系列可设置为单腔系统或带盒式装片的多腔系统。

Plasma Stripper (Asher) 等离子去胶机

Plasma Stripper (Asher) 等离子去胶机

  • 品牌: 牛津仪器
  • 型号: Plasma Stripper
  • 产地:英国
  • 供应商:深圳市蓝星宇电子科技有限公司

    开放式设计,可快速加载和卸载晶圆; 基片放置在石英上,以避免溅射/再沉积电极材料; 通过顶部电极上的“莲蓬头”进气口将气体注入工艺室。

英国Oxford 牛津等离子沉积机

英国Oxford 牛津等离子沉积机

  • 品牌: 牛津仪器
  • 型号: PlasmaPro 80 ICPCVD
  • 产地:英国
  • 供应商:深圳市蓝星宇电子科技有限公司

    PlasmaPro 80 ICPCVD 英国Oxford 牛津等离子沉积机,是一种结构紧凑且使用方便的小型直开式系统,可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案。 它易于放置,便于使用,且能够确保工艺性能。直开式设计可实现快速晶圆装卸,是科学研究、原型设计和小批量生产的理想选择。 它通过优化的电极冷却和出色的衬底温度控制来实现高性能工艺。

牛津等离子体刻蚀机 PlasmaPro 80 RIE

牛津等离子体刻蚀机 PlasmaPro 80 RIE

  • 品牌: 牛津仪器
  • 型号: PlasmaPro 80 RIE
  • 产地:英国
  • 供应商:深圳市蓝星宇电子科技有限公司

    PlasmaPro 80 RIE 牛津等离子体刻蚀机,是一种结构紧凑、小尺寸且使用方便的直开式系统,可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案。 它易于放置,便于使用,且能确保工艺性能。直开式设计可实现快速晶圆装卸,是研究和小批量生产的理想选择。 它通过优化的电极冷却和出色的衬底温度控制来实现高质量的工艺。

System 100 等离子刻蚀与沉积设备

System 100 等离子刻蚀与沉积设备

  • 品牌: 牛津仪器
  • 型号: System 100
  • 产地:英国
  • 供应商:深圳市蓝星宇电子科技有限公司

    牛津OXFORD System 100 等离子刻蚀与沉积设备,具有工艺灵活性,适用于化合物半导体,光电子学,光子学,微机电系统和微流体技术。

英国牛津OXFORD 等离子体刻蚀机 PlasmaPro 80 ICP

英国牛津OXFORD 等离子体刻蚀机 PlasmaPro 80 ICP

  • 品牌: 牛津仪器
  • 型号: PlasmaPro 80 ICP
  • 产地:英国
  • 供应商:深圳市蓝星宇电子科技有限公司

    PlasmaPro 80 ICP 英国牛津OXFORD 等离子体刻蚀机,是一种结构紧凑、小型且使用方便的直开式系统,可提供多种刻蚀解决方案。 它易于放置,便于使用,且能够确保工艺质量。直开式设计允许快速的进行晶圆装卸,是科学研究、原型设计和少量生产的理想选择。 该设备通过优化了的电极冷却技术和出色的衬底温度控制来实现高度稳定的工艺结果。

Ionfab 300 IBE 牛津离子束刻蚀机

Ionfab 300 IBE 牛津离子束刻蚀机

  • 品牌: 牛津仪器
  • 型号: Ionfab 300 IBE
  • 产地:英国
  • 供应商:深圳市蓝星宇电子科技有限公司

    质量薄膜高 ——超低污染; 产量高,紧凑的系统体积设计 ——运行成本低; 已获得专利的高速衬底架(高达1000RPM)设计,并配备了白光光学监视器(WLOM)——更为准确的实时光学薄膜控制。

牛津深硅刻蚀系统 PlasmaPro 100 Estrelas

牛津深硅刻蚀系统 PlasmaPro 100 Estrelas

  • 品牌: 牛津仪器
  • 型号: PlasmaPro 100 Estrelas
  • 产地:英国
  • 供应商:深圳市蓝星宇电子科技有限公司

    硬件设计使同一腔室中可进行Bosch?和超低温刻蚀工艺,使得纳米和微米结构刻蚀均可实现; 兼容50mm至200mm的衬底 - 确保您只需一台系统,便具备从研发器件到量产的能力; 自动匹配-拥有工艺灵活性。

美国Trion Technology反应式离子刻蚀(RIE/ICP)系统及沉积(PECVD)系统

美国Trion Technology反应式离子刻蚀(RIE/ICP)系统及沉积(PECVD)系统

  • 品牌: 美国Trion
  • 型号: RIE/ICP
  • 产地:美国
  • 供应商:深圳市蓝星宇电子科技有限公司

    美国Trion Technology反应式离子刻蚀(RIE/ICP)系统及沉积(PECVD)系统Trion始于一九八九年的等离子刻蚀与沉积系统制造商,Trion为化合物半导体、MEMS(微机电系统)、光电器件以及其他半导体市场提供多种设备。我们的产品在业内以系统占地面积最小、成本低而著称,且设备及工艺的可靠性和稳定性久经考验。从整套的批量生产用设备,到简单的实验室研发用系统,尽在Trion。 Trion提供升级及回收方案给现有Matrix客户。批量生产用设备:去胶系统- 低损伤去胶系统新式去胶系统的成本已攀升到不合理水平,但Trion已通过两套价格低廉、紧凑的多功能系统使这一关键问题得到解决:Gemini和Apollo。利用ICP(电感耦合等离子)、微波和射频偏置功率,可以在低温条件下将难于消除的光刻胶去除。根据应用要求,每套系统可以结合SST-Lightning 微波源(既可靠又没有任何常见的微波调谐问题) 或ICP 技术。? 刻蚀速率高达6微米/分 ? 高产量? 等离子损伤低 ? 自动匹配单元? 适用于100mm 到300mm 基片 ? 设备占地面积小? 价格具竞争性 刻蚀/沉积Titan是一套用于半导体生产的十分紧凑、全自动化、带预真空室的等离子系统。Titan具有反应离子刻蚀(RIE)配置、高密度电感耦合等离子沉积(HDICP)或等离子增强型化学汽相沉积(PECVD)配置。可对单个基片或带承片盘的基片(3”-300mm)进行处理。它还具有多尺寸批量处理功能。价格适宜且占地面积小。刻蚀应用范围: 砷化镓、砷化铝镓、氮化镓、磷化镓、磷化铟、铝、硅化物、铬以及其他要求腐蚀性和非腐蚀性化学刻蚀的材料。沉积应用范围:二氧化硅、氮化硅、氮氧化物和其他各种材料。 具有ICP选件的Titan系统Oracle III由中央真空传输系统(CVT)、真空盒升降机和最多四个工艺反应室构成。这些工艺反应室与中央负载锁对接,既能够以生产模式运行,也能够作为单个系统独立作业。 Oracle III是市场上最灵活的系统,既可以为实验室环境进行配置(使用单基片装卸),也可以为批量生产进行配置(使用真空盒升降机进行基片传送)。由于Oracle III 最多可容纳四个独立的工艺室,其可以有多种不同的工艺组合,其中包括RIE/ICP (反应离子刻蚀机/电感耦合等离子)刻蚀和PECVD 沉积。多个室可以同时工作。鉴于所有工艺室均有真空负载锁,工艺运行安全且没有大气污染。 Oracle III是市场上最小的批量生产用集成系统。深硅刻蚀:- 5μm/min的刻蚀速率- 小于6%的不均匀性- 刻蚀深度可达300μm- 相对于光刻胶15:1的选择率- 垂直光滑的壁面- 纵横比可达12:15 um wide Si trench etch200um Si trench etch120um Si Trench etch40um wide x 320um deepSlope approx. 88 degreesEtching of GaAs/AlGaAs HeterostructuresInP Lens Etch 5.2 micron lens height with PR maskGaN LED Etch 2.6 micron depth with PR小批量生产用设备:沉积 (PECVD)Minilock-Orion III是一套zui先进的等离子增强型化学汽相沉积(PECVD)系统。 系统的下电极尺寸可为200mm或300mm,且根据电极配置,可以处理单个基片或带承片盘的基片(3” - 300mm尺寸),或者多尺寸批量处理基片(4x3”; 3x4”; 7x2”)。可沉积的薄膜包括:氧化物、氮氧化物、无定形硅和碳化硅。可以使用的反应气体包括:100%硅烷、氨、TEOS、二乙基硅烷、氧化亚氮、氧、氮、三甲基硅烷和甲烷。该系统可选配一个三极管(Triode)或电感耦合等离子(ICP)源。其中三极管使得用户可以创建高密度等离子,从而控制薄膜应力。基片通过预真空室装入工艺室,其避免了与工艺室以及任意残余沉积副产品接触,从而提高了用户的安全性。预真空室还使得工艺室始终保持在真空下,从而保持反应室与大气隔绝。 Minilock-Orion III PECVD刻蚀 (RIE)Minilock-Phantom III 具有预真空室的反应离子刻蚀机。适用于单个基片或带承片盘的基片(3” - 300mm尺寸),为实验室和试制线生产环境提供zui先进的刻蚀能力。它也具有多尺寸批量处理(4x3”; 3x4”; 7x2”)。系统有多达七种工艺气体可以用于刻蚀各种薄膜,如氧化硅、氮化硅、多晶硅、铝、砷化镓、铬、铜、磷化铟和钛。该反应室还可以用于去除光刻胶和有机材料。可选配静电吸盘(E-chuck),以便更有效地在刻蚀工艺中让基片保持冷却。该E-chuck使用氦压力控制器,及在基片背面保持一个氦冷却层,从而达到控制基片温度的作用。该设备可选配一个电感耦合等离子(ICP)源,其使得用户可以创建高密度等离子,从而提高刻蚀速率和各向异性等刻蚀性能。 Minilock-Phantom III具有ICP(感应耦合等离子)选项的刻蚀系统实验室/研发/芯片失效分析用设备:沉积Orion III 等离子增强型化学汽相沉积(PECVD)系统适用于单个基片、碎片或带承片盘的基片(2” - 300mm尺寸),为实验室和试制线生产提供zui先进的沉积能力。Orion III系统用于非发火PECVD工艺。沉积薄膜:氧化物、氮氧化物、氮化物和无定形硅。工艺气体 :<20% 硅烷、氨、TEOS、二乙基硅烷、氧化亚氮、氧和氮。该设备可选配一个ICP或三极管(Triode)源。 Orion III 刻蚀Phantom III反应离子蚀刻(RIE)系统适用于单个基片、碎片或带承片盘的基片300mm尺寸,为实验室和试制线生产提供zui先进的等离子蚀刻能力。系统有多达七种工艺气体可以用于蚀刻氮化物、氧化物以及任何需要氟基化学刻蚀的薄膜或基片(如碳、环氧树脂、石墨、铟、钼、氮氧化物、聚酰亚胺、石英、硅、氧化物、氮化物、钽、氮化钽、氮化钛、钨以及钨钛) Phantom III? Sirus T2 台面式反应离子刻蚀机(RIE)可用于介质以及其它要求氟化基化学的薄膜刻蚀。用於对矽、 二氧化矽、 氮化矽、石英、聚亚醯胺、钽、钨、钨钛以及其他要求特徵控制,高度选择性和良好一致性的材料进行蚀刻。 本机包含200mm下电极, 系统控制器(含电脑主机及触控介面),13.56MHz, 300/600W 射频发生器及自动调谐,最大四路/六路工艺气体及自动压力控制模块等。占地面积小且坚固耐用,非常适合用於研发,实验室环境及失效分析。 Sirus T2 - 台面式反应离子刻蚀机

等离子刻蚀机PlasmaStar 100

等离子刻蚀机PlasmaStar 100

  • 品牌: 美国AXIC
  • 型号: PlasmaStar 100/100RIE
  • 产地:美国
  • 供应商:武汉迈可诺科技有限公司

    PlasmaSTAR?系列等离子处理系统适合处理所有的材料,拥有多种腔室和电极配置,可满足不同的等离子工艺和基片尺寸。占地面积小,用于各种等离子工艺的模块化腔室和电极配置。此外,触摸屏计算机控制,多级程序控制和组件控制,操作简单。PlasmaSTAR?模块化腔室和电极组件是该系统的独特功能。 腔室材料是硬质阳极氧化铝, 有几种不同的电极设计,包括用于反应离子刻蚀(RIE)和平面处理的水冷平板电极,用于表面清洗或处理的交替多层托盘电极,用于最小化离子损伤的下游电极,和用于普通的圆柱形笼式电极。1、腔体尺寸:直径≥200mm,深度≥280mm;2、腔体材质:硬质阳极氧化铝矩形腔体;3、处理腔背面材质:铝;4、处理腔门:要求全自动腔门;5、两路工艺气体,≥2路质量流量控制器控制气体流量,气体输入腔室带匀流设计;6、射频功率:0~600W连续可调,13.56MHz,自动匹配,自然风冷;7、配备RIE平面水冷平板电极;8、7英寸及以上显示器、触摸屏、图形用户界面;      9、程序控制:触摸屏电脑控制,无线程序存储;10、Windows操作系统,兼容Windows office软件,USB接口,可进行外部电脑远程控制的功能;11、状态和出错信息提示,过程数据和出错信息存储,可选择自动和手动操作模式,过程数据可以导出,工艺参数以图形方式呈现,可实时监控,自动实现泄露检测;12、配套紧急急停按钮(EMO),配套电路断路器,机械联锁(门传感器)和真空联锁(压力开关),通过软件可进行远程的真空联锁;13、典型的光刻胶刻蚀速率:80nm/min;14、典型工艺均匀性:≥±10%;

反应离子刻蚀机PlasmaStar 200

反应离子刻蚀机PlasmaStar 200

  • 品牌: 美国AXIC
  • 型号: PlasmaStar 200/200RIE
  • 产地:美国
  • 供应商:武汉迈可诺科技有限公司

    PlasmaSTAR?模块化腔室和电极组件是该系统的独特功能。 腔室材料是硬质阳极氧化铝, 有几种不同的电极设计,包括用于反应离子刻蚀(RIE)和平面处理的水冷平板电极,用于表面清洗或处理的交替多层托盘电极,用于最小化离子损伤的下游电极,和用于普通的圆柱形笼式电极。型号: 反应离子刻蚀机PlasmaStar 200/200RIE产地: 美国品牌: Axic环球供应,本地服务!MYCRO专业为您提供实验室RIE反应离子刻蚀机设备,全方位的技术服务及售后,MYCRO值得您的的信赖!技术规格:型号PlasmaStar  100PlasmaStar100RIEPlasmaStar 200PlasmaStar 200RIE舱体尺寸直径254×深度356mm直径200×深度280mm宽305×高305×深406mm宽305 ×高200×深406mm舱体材质标配为阳极氧化铝舱体常用气体空气,氧气,氢气,氩气,氮气,CF4,SF6等和其他混合气体气路控制标配2路MFC,PlasmaStar  100最多可选配4路, 标配2路MFC,PlasmaStar  200最多可选配5路;控制系统电阻触摸屏操作界面程序控制PC触屏控制,可编程序,无线存储数据射频频率13.56 MHz射频功率0~600W瓦之间距连续可调,自动匹配0~1000W瓦之间距连续可调,自动匹配电极设计标准圆柱形笼式电极;标准圆柱形笼式电极;可选交替多层托盘电极;可选RIE平面处理水冷平板电极设备尺寸 宽800 x 深850 x 高525mm;宽1033 x 深850 x 高635mm;

Chemcut - 湿法蚀刻设备

Chemcut - 湿法蚀刻设备

  • 品牌: 美国Chemcut
  • 型号: Chemcut 2300 系列
  • 产地:美国
  • 供应商:香港电子器材有限公司

    产品简介               导线框架(QFN)和BGA背蚀刻和半蚀刻系统 硷性蚀刻:?蚀刻速率:25 - 40 um / min,适用於厚铜(15um以上)蚀刻技术。?低侧蚀。?金属(镍/金)镀层无损坏。 酸性蚀刻: ?蚀刻速率:5-10微米/分钟,适用於簿铜(15um以下)蚀刻技术。?高侧蚀。?可能会损坏金属(镍/金)电镀。  Chemcut 2300 系列小批量生产批量和原型系统  Chemcut 2300 是一种紧凑,双面,水平,传送带式,振荡喷射处理系统系列,采用了与大型系统相同的成熟技术和质量。 2300系列非常适用于实验室,原型和小批量印刷电路以及化学机械加工零件,仪表板和铭牌。 本系列湿法设备有多种配置,可用于铜和氯化铁蚀刻,碱性氨蚀刻,抗蚀剂显影,化学清洗和抗蚀剂剥离。该机器的特殊版本可用于专业处理,如使用氢氟酸和硝酸混合物进行蚀刻以及高温蚀刻(最高160°F,71°C)。 适用于:化学清洗铁蚀刻铜蚀刻碱性蚀刻抗蚀剂显影抗蚀剥离宽度15到20英寸18 X 24功能 应用于: 原型商店小批量商店开发实验室研发部门大学特殊加工替代化学品研磨特殊合金减少废物    湿式加工设备 CC8000 CC8000 设计用於加工半导体,IC (引线框架和IC基板),高端HDI PCB / FPC,触控和LCD显示萤幕,太阳能和精密金属零件。其独特的喷涂架设计使其能够达到更高水平的蚀刻品质。自启动以来,已成交并安装了700多个系统。晶圆图案制作:?乾膜显影?铜蚀刻?钛/钨蚀刻 晶圆Bumping湿法工艺:?光阻显影:与Pad制作类似?光阻剥离:需要高喷洒压力(30 - 40 bars)?种子层(UBM)蚀刻:使用喷洒或浸渍技术   

Trymax - 干法刻蚀等离子去胶机

Trymax - 干法刻蚀等离子去胶机

  • 品牌: 荷兰Trymax
  • 型号: NEO200A 系列/NEO300A 系列/ NEO3400
  • 产地:荷兰
  • 供应商:香港电子器材有限公司

    产品简介NEO200A 系列● Handling   - Dual Cassette   - 3 axis robot● Chammber Configurations   - RF Only (13.56MHz)   - Microwave Only (2.45GHz)   - Dual Source RF / MW   - DCP (13.56MHz)● 100 to 200mm compatibleNEO300A 系列● Handling   - Single Loadport (300mm)   - 3 axis robot● Chammber Configurations   - RF Only (13.56MHz)   - Microwave Only (2.45GHz)   - Dual Source RF / MW   - DCP (13.56MHz)● 200 to 300mm compatibleNEO3400 系列● Handling   - up to 4 Loadports (300mm)   - 4 axis robot with X-traverser● Chammber Configurations   - RF Only (13.56MHz)   - Microwave Only (2.45GHz)   - Dual Source RF / MW   - DCP (13.56MHz)● 200 to 300mm compatible

上海伯东美国考夫曼霍尔离子源于离子刻蚀 (IBE) 应用

上海伯东美国考夫曼霍尔离子源于离子刻蚀 (IBE) 应用

  • 品牌: 美国KRI
  • 型号: EH200
  • 产地:美国
  • 供应商:伯东企业(上海)有限公司

    上海伯东美国考夫曼霍尔离子源于离子刻蚀 (IBE) 应用 Kaufman & Robinson,Inc (KRi) End Hall 上海伯东为美国考夫曼公司离子源 离子枪 Kaufman & Robinson, Inc (KRi) 大中华总代理.美国霍尔离子源 离子枪 EH200, EH400, EH1000, EH200, EH3000 系列不仅广泛应用于生产单位,且因离子抨击能量强, 蚀刻效率快, 可因应多种基材特性,单次使用长久, 耗材成本极低, 操作简易, 安装简易, 所以美国考夫曼霍尔离子源目前广泛应用于许多蚀刻制程及基板前处理制程.客户案例: 国内某大学天文学系小尺寸刻蚀设备1. 系统功能: 对于 Fe, Se, Te , PCCO及多项材料刻蚀工艺.2. 样品尺寸: 2硅芯片.3. 实际安装:刻蚀设备: 小型刻蚀设备. 选用上海伯东美国考夫曼霍尔离子源 EH400HC离子源 EH400HC 安装于刻蚀腔体内.离子源 EH400HC 控制单元操作 离子源 EH400HC 实际点燃 (氩气) 对于 FeSeTe 刻蚀应用, 离子源 EH400HC 条件: 110V/1.5A, 刻蚀速率 >20 A/Sec对于 FeSeTe 刻蚀应用, 离子源 EH400HC 条件: 110V/1.5A, 刻蚀速率 >17 ?/Sec霍尔离子源 EH400HC 优点:- 高离子浓度 (High density), 低能量(Low energy) - 离子束涵盖面积广 (high ion beam sharp) - 镀膜均匀性佳- 提高镀膜品质- 模块化设计, 保养快速方便- 增加光学膜后折射率 (Optical index) - 全自动控制设计, 超做简易- 低耗材成本,安装简易 KRI离子源简介: 美国考夫曼公司 离子源 离子枪发明人 Dr. Kaufman 考夫曼博士将此专利授权 VEECO 生产.于1978年考夫曼博士在美国自行创立 Kaufman & Robinson, Inc. (KRi) 美国考夫曼公司, 历经30年离子源 离子枪之改良及研发并取得多项专利,目前已在光学镀膜 (Optical coating), IBAD (离子源助镀), IBSD (离子溅镀), IBE (离子刻蚀), DD(离子镀膜)等等应用大量使用.上海伯东为美国考夫曼公司离子源 离子枪 Kaufman & Robinson, Inc (KRi) 中国总代理 上海伯东主要经营产品德国 Pfeiffer涡轮分子泵, 干式真空泵, 罗茨真空泵, 旋片真空泵; 应用于各种条件下的真空测量(真空计, 真空规管);氦质谱检漏仪;质谱分析仪;真空系统以及 Cryopump 冷凝泵/低温泵, HVA 真空阀门, Polycold 冷冻机和美国KRIKaufman 考夫曼离子源离子枪 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请登录我们网站: www.hakuto-vacuum.cn或与市场部门:孔生 联系Tel: 86-21-5046-3511转118Mobile: 86 150-2100-1343E-mail: [email protected]

上海伯东美国考夫曼离子源离子枪成功应用于离子刻蚀

上海伯东美国考夫曼离子源离子枪成功应用于离子刻蚀

  • 品牌: 美国KRI
  • 型号: RFICP40
  • 产地:美国
  • 供应商:伯东企业(上海)有限公司

    上海伯东美国考夫曼离子源离子枪成功应用于离子刻蚀 (IBE) 上海伯东美国考夫曼离子源 离子枪 Kaufman & Robinson, Inc (KRi) RFICP 成功应用于离子刻蚀 (IBE).上海伯东是美国考夫曼大中国区总代理,Kaufman & Robinson, Inc 美国考夫曼公司离子源 离子枪 RFCIP系列已广泛应用于离子刻蚀 (IBE) 工艺. 考夫曼离子源具有高离子浓度 (High beam currents) 及低离子能量 (Low beam energies). 此两个特殊条件对于刻蚀效率及刻蚀中避免伤害到工件表面材质可以达到优化. 并且可以依客户之工件尺寸选择所对应之型号: RFICP40, RFICP100, RFICP140, RFICP200, RFICP300. 上海伯东主要经营产品德国 Pfeiffer涡轮分子泵, 干式真空泵, 罗茨真空泵, 旋片真空泵; 应用于各种条件下的真空测量(真空计, 真空规管);氦质谱检漏仪;质谱分析仪;真空系统以及 Cryopump 冷凝泵/低温泵, HVA 真空阀门, Polycold 冷冻机和美国KRIKaufman 考夫曼离子源离子枪 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请登录我们网站: www.hakuto-vacuum.cn或与市场部门:孔生 联系Tel: 86-21-5046-3511转118Mobile: 86 150-2100-1343E-mail: [email protected]

上海伯东授权代理美国考夫曼离子束

上海伯东授权代理美国考夫曼离子束

  • 品牌: 美国KRI
  • 型号: eh
  • 产地:美国
  • 供应商:伯东企业(上海)有限公司

    上海伯东授权代理 Kaufman & Robinson, Inc (KRi) 美国考夫曼离子束与等离子源产品上海伯东为 Kaufman & Robinson, Inc (KRi) 美国考夫曼公司大中华总代理. 离子源发明人 Dr. Kaufman 考夫曼博士将此专利授权 VEECO 生产. 于1978年考夫曼博士在美国自行创立 Kaufman & Robinson, Inc. (KRi) 公司并历经30年离子源之改良及研发并取得多项专利,KRI产品融合的一系列等离子技术提供了独一无二的操作与运行方式。这些技术使离子源与供电产品能够被正确的应用以便达到流程目标。此类技术基本上可以被分为几个类别:无栅式端部霍尔(eh)离子源 eH系列离子源可输出高离子流和低能源束。离子流达到高速运行需求的同时低能源束能够减少对设备外表面与内表面的伤害。有栅极射频感应耦合等离子体(RFICP)离子源 RFICP系列离子源可以在无灯丝的情况下提供高密度离子流.从离子流中提取的离子束能够被精确的控制以便提供设定的形状,电流密度以及离子能。有栅极KDC离子源 KDC系列离子源是根据典型的考夫曼离子源加强设计的。传统的离子源工艺使其能够输出高质、稳定的离子束。电源与控制器 我们的电源与控制器操作不同种类的离子、等离子以及电子源。这些产品能够为等离子流程中的动荷作用输出平稳、连续的电源。电子源与离子源中和器 这些电子源低能量、高电流源。它们一般应用于中和剂或阴极材料,以便控制离子源与等离子源的产量。PTIBEAMTM离子透镜 我们的离子束源采用耐融金属或石墨的多孔径网格。这些网格或是平的,或是中凹的,它们与多孔模式一同控制离子轨迹。离子轨迹的聚集产生了离子束,离子电流的分布塑造了该离子束的形状特征。上海伯东 主要经营产品 德国 Pfeiffer 涡轮分子泵, 干式真空泵, 罗茨真空泵, 旋片真空泵; 应用于各种条件下的 真空测量(真空计, 真空规管); 氦质谱检漏仪;质谱分析仪;真空系统以及 Cryopump 冷凝泵/低温泵, HVA 真空阀门, Polycold 冷冻机和美国KRI Kaufman考夫曼离子源(离子枪)。若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请登录我们网站: www.hakuto-vacuum.cn或与市场部门:孔生 联系Tel: 86-21-5046-3511转118Mobile: 86 150-2100-1343E-mail: [email protected]

伯东公司考夫曼离子源

伯东公司考夫曼离子源

  • 品牌: 美国KRI
  • 型号: 考夫曼离子源
  • 产地:美国
  • 供应商:伯东企业(上海)有限公司

    伯东公司是美国考夫曼公司 Kuafman & Robinson,Inc(KRI) 中国总代理. KRI 考夫曼公司是由离子源发明人 Dr.Kaufman 考夫曼博士于 1978年在美国创立. KRI 考夫曼离子源历经 30 年改良及发展已取得多项专利, 受到各领域的肯定. KRI 离子源离子枪系列产品融合一系列等离子技术,提供了独一无二的操作与运行方式。KRI 离子源主要分为以下几类:无栅式端部霍尔离子源 eh eH 系列离子源离子枪可输出高离子流和低能源束。离子流达到高速运行需求的同时低能源束能够减少对设备外表面与内表面的伤害。有栅极射频感应耦合等离子体离子源 RFICP RFICP 系列离子源可以在无灯丝的情况下提供高密度离子流.从离子流中提取的离子束能够被精确的控制以便提供设定的形状,电流密度以及离子能。有栅极离子源 KDC KDC 系列离子源离子枪是根据典型的考夫曼离子源加强设计的。传统的离子源工艺使其能够输出高质、稳定的离子束。电源与控制器 我们的电源与控制器操作不同种类的离子、等离子以及电子源。这些产品能够为等离子流程中的动荷作用输出平稳、连续的电源。电子源与离子源离子枪中和器 这些电子源低能量、高电流源。它们一般应用于中和剂或阴极材料,以便控制离子源与等离子源的产量。PTIBEAMTM 离子透镜 我们的离子束源采用耐融金属或石墨的多孔径网格。这些网格或是平的,或是中凹的,它们与多孔模式一同控制离子轨迹。离子轨迹的聚集产生了离子束,离子电流的分布塑造了该离子束的形状特征。KRI 考夫曼离子源 EH1010F , EH1020F …系列广泛用于镀膜之前处理 (ISSP) 及离子辅助镀膜 (IBAD)且有助于提高光学成膜之沉淀速率, 附着度, 可靠度, 增加折射率, 穿透率等. KRI 考夫曼离子源整体设计低耗材, 安装简易, 维护简单广泛应用在生产企业和科研单位KRI 考夫曼离子源 EH1010F, EH1020F, EH3050F, EH5050F…系列, 目前被广泛应用于 AR, IR, 分光镜, 光学蒸镀镀膜制程, 多层膜光学镀膜制程, 低温度膜制, PVD 制程, 材料分析等等… KRI 考夫曼离子源 EH1020F 蒸镀制程设备应用 伯东公司主要经营产品德国 Pfeiffer涡轮分子泵, 干式真空泵, 罗茨真空泵, 旋片真空泵; 应用于各种条件下的真空测量(真空计, 真空规管);氦质谱检漏仪;质谱分析仪;真空系统以及 Cryopump 冷凝泵/低温泵, HVA 真空阀门, Polycold 冷冻机和美国KRIKaufman 考夫曼离子源离子枪 若您需要进一步的了解详细信息,请与我们联系:www.hakuto-vacuum.cn TEL: 86 (021) 50463511转106 FAX: 86 (021) 50461490 Email: [email protected]

英国Quorum K1050X射频等离子刻蚀清洗系统

英国Quorum K1050X射频等离子刻蚀清洗系统

  • 品牌: 英国Quorum
  • 型号: K1050X
  • 产地:英国
  • 供应商:南京覃思科技有限公司

    K1050X等离子处理单元由固态射频发生器结合调谐电路组成,同时两种处理气体流量针阀监控,全部或部分通气口控制。 它的腔室为圆柱形,样品装载为抽屉式抽拉系统,方便使用。 真空系统为旋转机械泵或可选用膜片泵作为前级真空的涡轮分子泵。 在真空装载端口及SEM/TEM中特殊的清洁应用时,可方便更换抽屉式抽拉系统。 此系统通常使用氧及氩的混合气体,氧去除有机物质(碳氢化合物),氩对样品表面进行刻蚀。

离子束刻蚀系统招标信息

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